فیلتر فابری - پرو مبتنی بر بلور فوتونی نیمه هادی
در این مقاله بلورهای فوتونی نیمه هادی آلائیده با ساختار Air(AB)N Air تحت یک میدان مغناطیسی خارجی مطالعه شده است، به‌طوری که لایه A دی‌الکتریک (شیشه کوارتز)، لایه B نیمه هادی آلائیده (گالیم آرسناید نوع n) و N تعداد تناوب لایه‌ها است. نشان دادیم که تحت میدان خارجی، نیمه هادی مانند لایه تک منفی و ساختا...
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | fas |
| Published: |
Payame Noor University
2024-10-01
|
| Series: | اپتوالکترونیک |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://jphys.journals.pnu.ac.ir/article_11460_8583d0243acd928eece6513ad6810f0a.pdf |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Summary: | در این مقاله بلورهای فوتونی نیمه هادی آلائیده با ساختار Air(AB)N Air تحت یک میدان مغناطیسی خارجی مطالعه شده است، به‌طوری که لایه A دی‌الکتریک (شیشه کوارتز)، لایه B نیمه هادی آلائیده (گالیم آرسناید نوع n) و N تعداد تناوب لایه‌ها است. نشان دادیم که تحت میدان خارجی، نیمه هادی مانند لایه تک منفی و ساختار مانند فیلتر چندکاناله عمل می‌کند. طوری که در طیف تراگسیلی این فیلتر N-1 تا پیک تشدیدی تیز شانه-مانند به ازای N>1 ظاهر می‌شود. همچنین نتایج عددی نشان داد که فرکانس‌های تشدیدی با تغییر میدان مغناطیسی اعمالی و چگالی الکترونی می‌توانند قابل تنظیم شوند به این صورت که افزایش میدان مغناطیسی و چگالی الکترونی به ترتیب منجر به جابه‌جایی قرمز و آبی مدهای تشدیدی می‌شوند. فیلتر فابری پروی پیشنهادی در مقایسه با فیلترهای معمول چندکاناله مبتنی بر بلورهای فوتونی یک ساختار چند لایه‌ای بدون نقص است. |
|---|---|
| ISSN: | 2783-1752 2783-2562 |