فیلتر فابری - پرو مبتنی بر بلور فوتونی نیمه هادی
در این مقاله بلورهای فوتونی نیمه هادی آلائیده با ساختار Air(AB)N Air تحت یک میدان مغناطیسی خارجی مطالعه شده است، به‌طوری که لایه A دی‌الکتریک (شیشه کوارتز)، لایه B نیمه هادی آلائیده (گالیم آرسناید نوع n) و N تعداد تناوب لایه‌ها است. نشان دادیم که تحت میدان خارجی، نیمه هادی مانند لایه تک منفی و ساختا...
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | fas |
| Published: |
Payame Noor University
2024-10-01
|
| Series: | اپتوالکترونیک |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://jphys.journals.pnu.ac.ir/article_11460_8583d0243acd928eece6513ad6810f0a.pdf |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|