hBN-SiC KOMPOZİTLERDE SICAKLIĞIN SiC TANE BOYUNUNA ETKİSİ - Zuhal Yılmaz; Nuran Ay (Sakarya Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi)
Bu çalışmada hekzagonal bor nitrür- silisyumkarbür (hBN-SiC) kompozit sentezinde sıcaklığın SiC tane boyutu üzerine etkisiaraştırılmıştır. Numunelerin SPS ile1700oC, 1800oC, 1900oC ve 2000oC’defarklı sıcaklıklarda 50MPa basınç altında 15dak sinterleme işlemigerçekleştirilmiştir. Sinterleme sıcaklığının SiC tane boyutu üzerine etkisininbelirlenmesi için İmageJ programı ile tane boyut ölçümleri gerçekleştirilerek normal dağılım fonksiyonu iletane boyut dağılımları tespit edilmiştir. 1700oC’den 1900oC’yesıcaklık artırıldığında h-BN miktarında %0,9’luk bir artış gözlenmiştir ve 2000oC’deise değişmemiştir. SiC ortalama tane boyutu 1700oC’den 2000oC’yesıcaklık artırıldığında 1,09µm’den 1,96µm’ye artmıştır. Tane boyutdağılımlarının standart sapma değerleri ise 1700oC’de 0,445 iken2000oC’de 0,812 değerine arttığı gözlenmiştir. Sıcaklığa bağlı olaraktane boyut dağılımı artmaktadır. hBNfazının güçlü kovalent bağları ve plaka şeklinde yapıya sahip olmasından dolayıhBN’nin zayıf sinterlenebilitesi nedeniyle SiC tane büyümesini yavaşlattığısöylenebilir.