Трековое формирование в структурах SiO2/Si и Si3N4/Si
В рамках модели термического пика рассчитаны параметры трекообразования для структур SiO2/Si и Si3N4/Si при облучении быстрыми ионами. Авторами подчеркнуто, что важным и новым результатом является оценка возможности использования рассчитанных ионов для создания нанопористых слоев в диоксиде кремния...
Saved in:
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Academician Ye.A. Buketov Karaganda University
2015-06-01
|
| Series: | Қарағанды университетінің хабаршысы. Физика сериясы |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://phs.buketov.edu.kz/index.php/physics-vestnik/article/view/40 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Be the first to leave a comment!